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  • 12
    2025-04
    仔細(xì)查看注入機(jī)離子源配件是否有明顯的損壞、變形、松動(dòng)或腐蝕跡象。這一步能快速發(fā)現(xiàn)一些直觀的問題,比如配件外殼破裂、連接部位松動(dòng)等,這些都可能導(dǎo)致故障發(fā)生。
  • 12
    2025-04
    芯片制造是極為復(fù)雜且精密的過程,涵蓋光刻、蝕刻、沉積等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在這一過程中,半導(dǎo)體設(shè)備配件扮演著不可或缺的角色,對(duì)芯片的生產(chǎn)質(zhì)量和效率產(chǎn)生直接影響。
  • 12
    2025-04
    在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié),丹東半導(dǎo)體設(shè)備能夠提供高精度的刻蝕與沉積工藝,滿足芯片生產(chǎn)對(duì)加工精度的嚴(yán)格要求。通過精準(zhǔn)的離子束控制技術(shù),在硅片表面實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別的線路加工,助力芯片制造企業(yè)提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)制造筑牢根基。
  • 09
    2025-04
    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為科技發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力,其產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測試等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在這一龐大且復(fù)雜的體系中,丹東半導(dǎo)體設(shè)備憑借自身特性,發(fā)揮著不可忽視的價(jià)值。
  • 09
    2025-04
    要是離子源出現(xiàn)離子束流不穩(wěn)定的情況,不妨檢查丹東離子源配件中的離子發(fā)射組件。查看發(fā)射組件表面有無異物附著,這可能會(huì)干擾離子發(fā)射。一旦發(fā)現(xiàn)異物,可以借助適配工具清理。
  • 09
    2025-04
    部分工作人員認(rèn)為,只要定期對(duì)蒸發(fā)臺(tái)坩堝進(jìn)行表面清潔就足夠了。但僅僅清潔表面,難以清除內(nèi)部的雜質(zhì)與沉積物,這些物質(zhì)日積月累,會(huì)影響蒸發(fā)臺(tái)坩堝的蒸發(fā)效率,還可能導(dǎo)致其受熱不均,進(jìn)而損壞。
  • 09
    2025-04
    規(guī)范的操作流程,對(duì)減緩蒸發(fā)臺(tái)行星鍋老化進(jìn)程頗有益處。開機(jī)前,操作人員應(yīng)檢查設(shè)備線路連接、部件狀態(tài),確保無異常。運(yùn)行時(shí),依照操作手冊(cè)設(shè)置參數(shù),避免超負(fù)載運(yùn)行引發(fā)設(shè)備故障。
  • 07
    2025-04
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,離子源弧光室對(duì)芯片生產(chǎn)十分關(guān)鍵。芯片制造對(duì)精度的要求極高,離子源弧光室生成離子束,對(duì)硅片進(jìn)行蝕刻與摻雜處理,實(shí)現(xiàn)芯片線路納米級(jí)精度,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健發(fā)提供助力。
  • 07
    2025-04
    在半導(dǎo)體蒸發(fā)工藝持續(xù)發(fā)展的背景下,適配的蒸發(fā)臺(tái)配件不斷革新,助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新高度。
  • 07
    2025-04
    在采購環(huán)節(jié),需嚴(yán)格篩選供應(yīng)商,對(duì)注入機(jī)離子源燈絲供應(yīng)商的信譽(yù)、產(chǎn)品資質(zhì)進(jìn)行全面評(píng)估。同時(shí),要查驗(yàn)產(chǎn)品的各項(xiàng)參數(shù)報(bào)告,確保其符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。