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  • 10
    2025-09
    在技術適配層面,丹東半導體設備針對國內(nèi)半導體材料特性與生產(chǎn)工藝特點,持續(xù)優(yōu)化設備的性能參數(shù)與操作流程。例如,在功率半導體器件生產(chǎn)中,其設備能夠匹配國內(nèi)常用的襯底材料與制造工藝,提升生產(chǎn)良率的同時,降低企業(yè)的技術適配成本,幫助本土企業(yè)更快實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),加速產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程。
  • 10
    2025-09
    當?shù)|離子源配件出現(xiàn)放電異常時,首先需檢查配件與設備接口的連接狀態(tài),查看是否存在松動或接觸不良的情況,同時清理接口處的灰塵與雜質(zhì),避免因異物導致的導電不暢。若問題仍未解決,可進一步檢查配件內(nèi)部電極的損耗情況,根據(jù)實際磨損程度更換對應部件。
  • 10
    2025-09
    合理選擇蒸發(fā)臺坩堝清潔方法,需結合前序物料特性與坩堝材質(zhì)制定方案。針對有機物殘留,可采用適配的有機溶劑浸泡后,配合軟質(zhì)毛刷輕柔擦拭,再用去離子水沖洗干凈...
  • 09
    2025-09
    蒸發(fā)臺行星鍋的攪拌葉片結構同樣對蒸發(fā)效率有顯著影響。平直葉片雖加工簡便,但對高粘度物料的攪拌效果有限,易出現(xiàn)物料粘壁堆積;而采用傾斜角度合理的螺旋葉片,既能增強物料的翻攪能力,又能促進物料沿腔體壁面流動,減少粘壁現(xiàn)象,同時加速揮發(fā)組分向腔體頂部擴散。
  • 09
    2025-09
    合理調(diào)整離子源弧光室放電間隙,需結合設備運行工況與工作氣體特性開展。例如,在使用惰性氣體時,可適當縮小放電間隙以提升電場強度,促進氣體電離;而在處理活性氣體時,需控制間隙在合理范圍,避免因間隙過小導致電極腐蝕加速。
  • 09
    2025-09
    在故障處理環(huán)節(jié),需根據(jù)不同故障類型制定針對性方案。對于磨損類蒸發(fā)臺配件,若磨損程度較輕,可通過精密打磨修復配合面精度;若磨損超出允許范圍,則需更換適配型號的配件,并在安裝時嚴格控制裝配間隙。
  • 09
    2025-09
    合理的注入機離子源燈絲材料選型,能有效降低因燈絲失效導致的設備突發(fā)停機情況。若材料耐高溫性能不足,燈絲易在高溫工況下出現(xiàn)熔斷或變形,不僅需頻繁更換部件,還可能因停機影響生產(chǎn)進度;若材料抗損耗能力較差,燈絲表面易產(chǎn)生蒸發(fā)或濺射,導致離子源內(nèi)部雜質(zhì)增加,進而影響離子束的純度與穩(wěn)定性,間接降低設備加工精度。
  • 09
    2025-09
    外觀檢查為檢測流程的第一步,需通過目視與工具測量,排查注入機離子源配件表面是否存在裂紋、劃痕、變形等缺陷,同時檢查配件的尺寸是否符合設計標準。對于有涂層的配件,需確認涂層均勻性及附著強度,避免因外觀問題影響后續(xù)使用。
  • 05
    2025-09
    不同半導體設備配件的工作環(huán)境存在差異,如高溫、腐蝕性環(huán)境需選用耐高溫、抗腐蝕的合金或陶瓷材質(zhì);而高頻運行場景則需考慮材質(zhì)的耐磨性與導電性。材質(zhì)的物理化學性能需與設備運行條件相匹配,避免因材質(zhì)不適導致配件過早損耗。
  • 05
    2025-09
    清潔工作需定期進行,針對丹東半導體設備的表面及關鍵部件,使用專用清潔劑與軟質(zhì)工具輕柔擦拭,避免劃傷精密元件。對于通風口、散熱片等易積塵部位,需用壓縮空氣清理灰塵,防止散熱不良影響設備運行。