您當(dāng)前的位置:  新聞資訊
  • 18
    2025-09
    處理含輕微腐蝕性的蒸發(fā)物料時(shí),普通鋼材制成的蒸發(fā)臺(tái)行星鍋易出現(xiàn)腔壁銹蝕,不僅影響物料純度,還需每半年至一年更換一次,累計(jì)成本遠(yuǎn)高于優(yōu)質(zhì)不銹鋼材質(zhì)產(chǎn)品。
  • 18
    2025-09
    針對(duì)離子源弧光室的清潔,應(yīng)選用與腔壁材質(zhì)適配的中性清潔試劑,搭配無(wú)塵軟布輕輕擦拭腔體內(nèi)壁,對(duì)于電極周邊的頑固殘留,可使用軟毛刷蘸取少量清潔試劑細(xì)致清理,避免使用硬質(zhì)工具造成表面劃傷...
  • 18
    2025-09
    清潔蒸發(fā)臺(tái)配件前,需先確保真空蒸發(fā)系統(tǒng)完全斷電并降至常溫,避免高溫狀態(tài)下操作引發(fā)安全事故或損傷配件。隨后根據(jù)配件類型與結(jié)構(gòu),拆卸可單獨(dú)清潔的蒸發(fā)臺(tái)配件,如蒸發(fā)坩堝、金屬擋板等,注意記錄配件安裝位置,便于后續(xù)準(zhǔn)確復(fù)位。
  • 17
    2025-09
    在實(shí)際應(yīng)用中,注入機(jī)離子源燈絲的材質(zhì)選擇需重點(diǎn)適配SiC晶圓的注入需求,通常優(yōu)先選用鎢錸合金等耐高溫材質(zhì),這類材質(zhì)能在SiC注入所需的高溫環(huán)境下保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,減少燈絲因高溫氧化或形變導(dǎo)致的性能衰減...
  • 17
    2025-09
    實(shí)際檢測(cè)中,首先可采用外觀檢測(cè)法,借助高倍放大鏡或工業(yè)相機(jī)對(duì)注入機(jī)離子源配件表面進(jìn)行細(xì)致觀察,重點(diǎn)排查是否存在肉眼可見(jiàn)的涂層剝落、劃痕或顏色不均,這類現(xiàn)象往往是涂層磨損的初期信號(hào)...
  • 17
    2025-09
    在具體措施方面,首先需注重半導(dǎo)體設(shè)備配件的選型適配,例如引線鍵合工序中,焊頭配件需匹配芯片引腳材質(zhì)與鍵合工藝要求,避免因配件與工藝不兼容導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度不足;塑封工序的模具配件需具備均勻的溫控性能,確保塑封料充分固化。
  • 17
    2025-09
    在功率半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié),丹東半導(dǎo)體設(shè)備可適配功率模塊的多引腳焊接、熱界面材料涂覆等工藝需求,通過(guò)穩(wěn)定的機(jī)械傳動(dòng)與參數(shù)監(jiān)控,確保封裝過(guò)程中焊點(diǎn)的可靠性與熱傳導(dǎo)效率,滿足功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期運(yùn)行的耐用性要求。
  • 17
    2025-09
    丹東離子源配件通過(guò)優(yōu)化離子產(chǎn)生與傳輸效率,幫助質(zhì)譜分析設(shè)備在面對(duì)復(fù)雜樣品時(shí),依然能保持穩(wěn)定的離子輸出,減少因離子化不充分導(dǎo)致的分析誤差,為后續(xù)檢測(cè)環(huán)節(jié)提供優(yōu)質(zhì)的離子源基礎(chǔ),滿足不同行業(yè)對(duì)樣品定性、定量分析的嚴(yán)苛需求。
  • 13
    2025-09
    蒸發(fā)臺(tái)坩堝適配不同蒸發(fā)物料選擇指南是保障蒸發(fā)鍍膜工藝效率與質(zhì)量的核心參考,其關(guān)鍵價(jià)值在于根據(jù)各類蒸發(fā)物料的物理化學(xué)特性,匹配性能適配的坩堝材質(zhì)與規(guī)格,避免因適配不當(dāng)導(dǎo)致物料污染、坩堝損耗加劇或工藝參數(shù)失控等問(wèn)題。
  • 13
    2025-09
    當(dāng)前常用的蒸發(fā)臺(tái)行星鍋腔體密封性檢測(cè)方法包括壓力衰減法、氦質(zhì)譜檢漏法等。壓力衰減法通過(guò)向腔體內(nèi)充入一定壓力的氣體,靜置一段時(shí)間后監(jiān)測(cè)壓力變化,若壓力下降超出設(shè)定范圍,則表明腔體存在泄漏;氦質(zhì)譜檢漏法則利用氦氣作為示蹤氣體,通過(guò)質(zhì)譜儀檢測(cè)腔體外部氦氣濃度,定位微小泄漏點(diǎn),適用于對(duì)密封性要求較高的工藝場(chǎng)景。